国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新(5.850, 0.07, 1.21%)区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。

在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。